[发明专利]一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110708610.7 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113437214A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年;吴良才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C30B29/68;C30B29/46;C30B23/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料包括范德瓦尔斯结构缓冲层和氮硫化合物‑GeTe超晶格结构；所述超晶格结构沿垂直于衬底表面的方向层状生长。本发明用高通量的制备方法实现了具有连续组分分布且具有高度织构取向的氮硫化合物相变材料，相变存储材料具有高度的织构取向，这有助于设计具有界面无序化特征的低功耗、高性能相变存储器单元，有望用于高速、高循环擦写次数和低功耗的非易失性存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 取向 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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