[发明专利]一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高度织构取向相变存储材料，其特征在于：所述相变存储材料包括范德瓦尔斯结构缓冲层和氮硫化合物-GeTe超晶格结构；所述超晶格结构沿垂直于衬底表面的方向层状生长。

2.根据权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于：所述范德瓦尔斯结构缓冲层材料为Sb₂Te₃。

3.根据权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于：所述氮硫化合物-GeTe超晶格结构通过氮硫化合物与GeTe交替堆叠形成。

4.根据权利要求1或3所述的相变存储材料，其特征在于：所述氮硫化合物为Bi₂Ch₃，Ch代表硫系元素。

5.根据权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于：所述衬底为硅衬底、锗衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底。

6.一种高度织构取向相变存储材料的制备方法，包括：

在氩气环境下，使用磁控溅射法，首先在衬底上沉积范德瓦尔斯结构缓冲层；随后依次将氮硫化合物和GeTe沉积在缓冲层上形成超晶格结构，在真空中冷却至室温。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：在沉积缓冲层之前，用氩等离子体蚀刻去除衬底的自然氧化层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法的工艺参数为：溅射背景真空度优于2×10^-5-5×10^-5Pa，反应腔温度为300℃，溅射气压为0.4-0.5Pa，溅射功率为10-50w。

9.一种如权利要求1所述的高度织构取向相变存储材料在非易失性存储器件中的应用。