[发明专利]一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法有效
| 申请号： | 202110707973.9 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113659434B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 袁章洁;李雪松 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，所述方法在量子阱生长完成后在量子阱表面沉积了一层光电限制层，然后对光电限制层进行光刻和刻蚀，定义出发光区域，所述光电限制层的材料为三氧化二铝。本发明的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，在整个生产过程中省去了传统的氧化或离子注入工艺，可以减少VCSEL芯片制备过程中设备的投入，同时缩短了整个工艺流程，能够有效缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mesa 台面 vcsel 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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