[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 202110705720.8 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299557B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李艳旭 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。在其制备隔离层时，是利用预定条件下具有流动性的牺牲材料层实现刻蚀前膜层顶表面的平整性，并基于后续的刻蚀工艺形成表面平坦的隔离层。即，本发明提供的形成方法在制备隔离层时可以不采用研磨工艺，进而可以有效规避由研磨工艺所带来的缺陷，并且有利于实现器件尺寸的缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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