[发明专利]一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110698510.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113394298B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 易波;伍争 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法，包括绝缘层以及位于其上方的第一种掺杂类型的半导体、分别位于半导体上表面的耐压层、氧化层和N |
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| 搜索关键词： | 一种 通电 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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