[发明专利]制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件

摘要

本公开的实施例涉及制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件。用于检测UV辐射的器件，包括：具有N掺杂的SiC衬底；具有N掺杂的SiC漂移层，SiC漂移层在衬底之上延伸；阴极端子；以及阳极端子。阳极端子包括：具有P掺杂的掺杂阳极区，掺杂阳极区在漂移层中延伸；以及包括一个或多个富碳层，特别是石墨烯和/或石墨层的欧姆触点区，欧姆触点区在掺杂阳极区中延伸。欧姆触点区对于待检测的UV辐射透明。