[发明专利]制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过以下方式来制造用于检测UV辐射的检测器器件：

在具有第一导电性和掺杂物质的第一浓度的碳化硅SiC衬底的前侧上，形成具有所述第一导电性和掺杂物质的第二浓度的SiC的漂移层，掺杂物质的所述第二浓度低于所述第一浓度；

在所述衬底的背侧上形成所述检测器器件的阴极端子；以及

在所述漂移层中形成所述检测器器件的阳极端子，形成所述阳极端子包括：

通过在所述漂移层中注入具有与所述第一导电性相反的第二导电性的掺杂物质来形成掺杂阳极区；以及

利用激光在所述掺杂阳极区中形成包括一个或多个富碳层的第一欧姆触点区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂阳极区从所述漂移层的顶面开始在所述漂移层中在深度上延伸，

并且所述第一欧姆触点区具有顶面与所述漂移层的所述顶面重合的顶面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一欧姆触点区包括：通过利用激光朝向所述掺杂阳极区生成第一激光束、并且引起所述掺杂阳极区的具有所述第二导电性的所述掺杂物质激活，将所述掺杂阳极区加热到1500℃至2600℃范围内的温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中生成所述第一激光束包括：

使用290nm至370nm范围内的波长；

使用100ns至300ns范围内的脉冲持续时间；以及

使用1.5J/cm²至4.5J/cm²范围内的能量密度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一欧姆触点区包括：仅在所述掺杂阳极区内形成所述一个或多个富碳层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一欧姆触点区在所述掺杂阳极区中延伸1nm到20nm范围内的深度。

7.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述阴极端子包括：通过朝向所述衬底的所述背侧生成第二激光束，将所述衬底加热到1500℃至2600℃范围内的温度，在所述衬底的所述背侧上形成包括一个或多个富碳层的第二欧姆触点区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中生成所述第二激光束包括：

使用290nm至370nm范围内的波长；

使用100ns至300ns范围内的脉冲持续时间；以及

使用3J/cm²到4.5J/cm²范围内的能量密度。

9.一种UV检测器器件，包括：

具有第一导电性和掺杂物质的第一浓度的SiC衬底，所述SiC衬底具有彼此相对的前侧和背侧；

SiC漂移层，在所述衬底的所述前侧之上延伸，具有所述第一导电性和掺杂物质的第二浓度，掺杂物质的所述第二浓度低于所述第一浓度；

位于所述衬底的所述背侧上的阴极端子；以及

位于所述漂移层中的阳极端子，其中所述阳极端子包括：

位于所述漂移层中的掺杂阳极区，所述掺杂阳极区包括具有与所述第一导电性相反的第二导电性的掺杂物质；以及

第一欧姆触点区，包括一个或多个富碳层，所述第一欧姆触点区在所述掺杂阳极区中延伸。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述掺杂阳极区从所述漂移层的顶面开始在所述漂移层中在深度上延伸，

并且其中所述第一欧姆触点区具有与所述漂移层的所述顶面重合的顶面。

11.根据权利要求9所述的器件，其中所述第一欧姆触点区包括仅在所述掺杂阳极区内的所述一个或多个富碳层。

12.根据权利要求9所述的器件，其中所述第一欧姆触点区在所述掺杂阳极区中延伸1nm至20nm范围内的深度。