[发明专利]p型金属氧化物电流阻挡层Ga2

摘要

本发明公开了一种p型金属氧化物电流阻挡层Ga2O3垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术无法形成pn结，导致击穿电压低的问题。其自下而上包括：漏极(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓漂移层(3)、氧化镓沟道层(4)、栅介质层(5)、栅极(6)，该氧化镓漂移层(3)的两侧设置有电流阻挡层(7)、中间设置有电流孔径(8)，氧化镓沟道层(4)和栅介质层(5)的两侧设置有源极(9)，该电流阻挡层(7)采用掺杂有硼元素的p型金属氧化物材料，且分别与氧化镓漂移层(3)和氧化镓沟道层(4)形成两个异质结。本发明大幅度提升了器件的击穿电压，可应用于工业电力以及汽车电力系统的大功率器件。