[发明专利]一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器

摘要

本发明涉及一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器。本发明包括光输入通道、与光输入通道相连接的多模干涉分路器、光输出通道、与光输出通道相连接的多模干涉耦合器；多模干涉分路器及多模干涉耦合器通过光传输波导连接，且光传输波导上附有能负载信号的调制移相臂；多模干涉分路器还包括位于顶部的第一附载电极、第一多模干涉波导及两个多模干涉分路器输出端口，多模干涉耦合器同样包括位于顶部的第二附载电极、第二多模干涉波导及两个多模干涉耦合器输入端口。本发明使MZI在调制时两个臂的光强保持在同一水平上，提高了器件输出时的消光比。有效的解决了当前MZI光调制器的消光比低的问题。