[发明专利]一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器

权利要求书

1.一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：包括光输入通道(1)、与光输入通道(1)相连接的多模干涉分路器(2)、光输出通道(3)、与光输出通道(3)相连接的多模干涉耦合器(4)；所述多模干涉分路器(2)及多模干涉耦合器(4)通过光传输波导(5)连接，且光传输波导(5)上附有能负载信号的调制移相臂(6)；多模干涉分路器(2)还包括位于顶部的第一附载电极(7)、第一多模干涉波导(23)及两个多模干涉分路器输出端口(8)，多模干涉耦合器(4)同样包括位于顶部的第二附载电极(7)、第二多模干涉波导(23)及两个多模干涉耦合器输入端口(9)。

2.根据权利要求1所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述多模干涉分路器(2)及多模干涉耦合器(4)分别通过第一附载电极(7)、第二附载电极(7)进行分光比调节。

3.根据权利要求1所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述多模干涉分路器(2)及多模干涉耦合器(4)的多模干涉波导(23)形状为扇形结构，且宽度沿光传输方向变化。

4.根据权利要求1所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述多模干涉分路器输出端口(8)及多模干涉耦合器输入端口(9)为锥形结构，宽度沿光的传播方向变化。

5.根据权利要求1所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述光传输波导(5)的横截面为条形或者脊型结构。

6.根据权利要求1所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述调制移相臂(6)采用PN结移相臂，PN结移相臂为反向“掺杂补偿”型，即在PN结的两侧进行掺杂补偿，形成中心的P型掺杂区(13)、N型掺杂区(14)及两侧的本征区(15)；调制移相臂(6)的光波导(11)下层采用P+型掺杂区(16)和N+型掺杂区(17)分别与P++型重掺杂区(18)以及N++型重掺杂区(19)连接；反向“掺杂补偿”型PN结移相臂的P++型重掺杂区(18)和N++型重掺杂区(19)分别引出电极短接金属材料作为器件的阴极和阳极。

7.根据权利要求6所述的基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器，其特征在于：所述光波导(11)的横截面为条形或者脊型结构。