[发明专利]一种短沟道ZnO薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110687353.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506831A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;李思哲;吴昊;陈雪 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 邱云雷 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及短沟道ZnO薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：在真空、惰性气体保护条件下，于第一温度下，在导电衬底上依次沉积栅绝缘层和ZnO沟道层；对所述ZnO沟道层进行光刻，以形成ZnO沟道结构，得到第一结构；对第一结构进行光刻，并依次蒸镀金属附着层和金属覆盖层，以形成源漏双层电极，得到短沟道ZnO薄膜晶体管，所述短沟道ZnO薄膜晶体管的沟道长度L为2nm～3μm。本申请制造出来的ZnO薄膜晶体管具有短沟道，从而降低了ZnO薄膜晶体管的尺寸，同时具备高性能，可以用于驱动Micro‑LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 zno 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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