[发明专利]一种短沟道ZnO薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：

在真空、惰性气体保护条件下，于第一温度下，在导电衬底(1)上依次沉积栅绝缘层(2)和ZnO沟道层(3)；

对所述ZnO沟道层(3)进行光刻，以形成ZnO沟道结构(4)，得到第一结构；

对第一结构进行光刻，并依次蒸镀金属附着层(5)和金属覆盖层(6)，以形成源漏双层电极(7)，得到短沟道ZnO薄膜晶体管，所述短沟道ZnO薄膜晶体管的沟道长度L为2nm～3μm。

2.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述短沟道ZnO薄膜晶体管的沟道长度L为100nm～2μm。

3.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

所述金属附着层(5)采用Ti、Mo、Al、Zn和Sn中的一种或多种；

和/或，所述金属覆盖层(6)采用Cu、Ag和Au中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

所述金属附着层(5)厚度为2nm～100nm；

和/或，所述金属覆盖层(6)厚度为2nm～150nm。

5.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

所述短沟道ZnO薄膜晶体管的沟道宽度W为2nm～3μm；

和/或，所述ZnO沟道层(3)的厚度为2nm～50nm。

6.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述第一温度为20℃～145℃。

7.如权利要求6所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述第一温度为130℃～145℃。

8.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述栅绝缘层(2)的厚度为2nm～60nm。

9.如权利要求1所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述栅绝缘层(2)为Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、La₂O₃和TiO₂中的一种。

10.一种短沟道ZnO薄膜晶体管，其特征在于：其采用如权利要求1至9任一所述的短沟道ZnO薄膜晶体管的制备方法制备而成。