[发明专利]金属栅MOS晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202110685045.7 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113517194A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅MOS晶体管的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上完成金属栅的形成工艺；步骤二、形成覆盖金属栅和第零层层间膜的第一介质层；步骤三、进行图形化刻蚀形成第零层金属层的开口；步骤四、在第零层金属层的开口的内侧表面形成第一Ti层和第二TiN层；步骤五、在第零层金属层的开口中填充金属材料形成第零层金属层；在步骤一完成后以及步骤四进行前还包括：在第一温度下进行第一次退火并通过第一温度的设置来使金属栅MOS晶体管的阈值电压调节到目标值；在步骤四完成后以及步骤五进行前还包括：在低于第一温度的第二温度下进行第二次退火来调节所述金属栅MOS晶体管的导通电阻。本发明同时得到很好的导通电阻和阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
