[发明专利]一种复合孔径薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202110678808.5 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113628956A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 郑德印;王玮 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 张晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种复合孔径薄膜,包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层,所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔,所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔,所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征,在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状,通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度,并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 孔径 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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