[发明专利]一种复合孔径薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110678808.5 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113628956A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郑德印;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 孔径 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合孔径薄膜，其特征在于，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述复合孔径薄膜为一体结构；所述第一掺杂硅层为重度掺杂硅层，其电阻率为0.01Ω·cm以下；所述第二掺杂硅层为中度掺杂硅层，其电阻率范围在1-30Ω·cm区间。
3.根据权利要求2所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述重度掺杂硅层和中度掺杂硅层为掺杂了硼元素、铝元素、镓元素或铟元素的p型硅衬底。
4.根据权利要求1或2所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述纳米尺度的通孔的孔径为50nm以下，深度为5μm以下；所述微米尺度的通孔的孔径为2μm以上，深度为495μm以下。
5.根据权利要求1-4任一项所述的复合孔径薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
对中度掺杂硅衬底进行预处理；
对所述中度掺杂硅衬底的浅表层进行掺杂，使其转化为重度掺杂硅层；
在获得重度掺杂硅层后，对所述衬底整体进行电化学腐蚀；以及
对所述衬底远离所述重度掺杂硅层的表面进行减薄。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述预处理包括：通过酸、碱和超纯水对所述中度掺杂硅衬底表面进行化学处理。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂为扩散工艺或离子注入工艺。
8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述电化学腐蚀工艺采用的腐蚀电流为1-100mA/cm2。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述电化学腐蚀工艺采用的腐蚀电流为10-50mA/cm2。
10.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，通过化学机械抛光、机械研磨、湿法刻蚀、干法刻蚀或其结合进行减薄。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
