[发明专利]一种精密控制的固化处理介电材料的半导体装置及方法在审
| 申请号： | 202110675332.X | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113436994A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 姚大平 | 申请（专利权）人： | 江苏中科智芯集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造与封装技术领域，提出一种精密控制固化处理介电材料的半导体装置，包括晶圆放置架；晶圆台盘；以及低压固化晶圆腔室等装置。本发明还提出一种利用所述精密控制固化处理介电材料的装置实施介电材料固化的工艺方法。本发明通过使晶圆的背面处于减压状态与晶圆台盘紧密接触，在低压状态加热，使得晶圆与介电材料涂层等到均匀加热升温、或者断电降温，因此介电材料在低压受热固化时产生均匀收缩，带来的应力减小，固化后的介电材料性能提高，同时晶圆翘曲程度大大地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精密 控制 固化 处理 材料 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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