[发明专利]一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法在审
| 申请号： | 202110674594.4 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN116065238A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张义;王成新;王建立;李毓锋 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下：(1)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；(2)在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。本发明在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，可以避免托盘上生长多晶GaN，或者将托盘上已经生长的多晶GaN去除，直接避免和减少厚膜GaN生长过程中托盘上的多晶GaN颗粒落到外延片上，实现了GaN厚膜表面多晶GaN颗粒数量＜5个，成功制备得到表面平滑光亮的GaN厚膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 表面 颗粒 gan 生长 方法 | ||
【主权项】：
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