[发明专利]一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法在审
| 申请号： | 202110674594.4 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN116065238A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张义;王成新;王建立;李毓锋 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 表面 颗粒 gan 生长 方法 | ||
1.一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；
(2)通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。
2.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氨气流量为10-100L，生长温度为1050-1150℃。
3.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(2)中，所述GaN籽晶生长厚度为0.5-5μm。
4.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，采用金属有机化学气相沉积法时，生长压力控制在20～300mbar之间，V/III比控制在150-1500之间。
5.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，采用氢化物气相外延法时，生长压力控制在500～1000mbar之间，V/III比控制在20-200之间。
6.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(2)中，所述通入刻蚀性原材料的时机为：在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料。
7.如权利要求6所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，在GaN厚膜每生长2-20μm，通入一次刻蚀性原材料，通入时间为2-5min，形成周期性循环至GaN厚膜生长。
8.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(2)中，所述刻蚀性原材料为四氯化碳、四溴化碳、氯化氢或氯气，通入量为5000-10000mol。
9.如权利要求8所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(2)中，所述刻蚀性原材料为四氯化碳，通入量为6000-9000mol。
10.如权利要求1所述减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，步骤(2)中，所述GaN厚膜的厚度为300-600μm。
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