[发明专利]一种高击穿场强的储能薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110672536.8 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113493346B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张永泉;姚安权;张昌海;迟庆国;张天栋;冯宇;张月 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/491;C04B35/622;C04B35/624;C04B35/64;H01G4/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 王芳 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高击穿场强的储能薄膜及其制备方法，属于高性能储能薄膜材料制备技术领域。本发明解决了现有制备的储能薄膜击穿场强低、性能调控过程复杂以及储能密度低下等技术问题。本发明通过分层退火的方式，实现了高退火温度下的极化层叠加低退火温度下的耐压层，成功制备了具有电学性能的铁电薄膜。相较于现有离子掺杂、调控退火温度等现有解决手段相比，该薄膜结构设计方案，极大地降低了制备工艺的操作难度以及能源消耗，更加贴近工业生产并显著提高了储能密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 场强 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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