[发明专利]一种集成电路功率放大器陶瓷基板制备装置在审
| 申请号： | 202110670250.6 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113539839A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李巧梅 | 申请（专利权）人： | 李巧梅 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 061000 河北省沧州市新华*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路领域，尤其涉及一种集成电路功率放大器陶瓷基板制备装置。本发明的技术问题：提供一种集成电路功率放大器陶瓷基板制备装置。本发明的技术实施方案是：一种集成电路功率放大器陶瓷基板制备装置，包括有底板组件和防护单元等；底板组件与防护单元相连接。本发明实现了对陶瓷基板的外环侧面进行包覆保护膜，接着，再将陶瓷基板中多余的保护膜刮除，然后对陶瓷基板进行镀金处理，待镀金完成后，再将陶瓷基板中多余的电解溶液去除，接着，再对陶瓷基板的表面涂覆导电胶，并防止导电胶流入陶瓷基板的两个圆孔中，提高了陶瓷基板的性能，避免了影响功率放大器的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 功率放大器 陶瓷 制备 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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