[发明专利]一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110662033.2 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410196A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周黎阳;王挥;吴道伟;杨芳;张辽辽 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法，TSV硅转接基板上依次堆叠有FPGA管芯、转接板和PROM管芯，TSV硅转接基板、FPGA管芯、转接板和PROM管芯之间采用引线键合。在TSV硅转接基板上依次堆叠粘接FPGA管芯、转接板和PROM管芯；再采用金丝球焊工艺，将FPGA芯片Pad与TSV硅转接基板上Pad、PROM芯片Pad与转接板上Pad和转接板上Pad与TSV硅转接基板上Pad依次进行引线缝合，完成集成结构的制备。在硅片上高效的集成了FPGA管芯和PROM管芯，具有体积小、功耗低、性能优的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 转接 prom fpga 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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