[发明专利]一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110662033.2 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410196A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周黎阳;王挥;吴道伟;杨芳;张辽辽 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 转接 prom fpga 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，包括TSV硅转接基板(5)；
TSV硅转接基板(5)上依次堆叠有FPGA管芯(4)、转接板(3)和PROM管芯(2)，TSV硅转接基板(5)、FPGA管芯(4)、转接板(3)和PROM管芯(2)之间采用引线键合。
2.根据权利要求1所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，布线线宽≤10μm，线间距≥10μm；Pad尺寸≥50*50μm；同一芯片对应相邻两Pad之间的间距≥20μm；不同芯片对应的Pad中，邻近两Pad之间的间距≥60μm；TSV硅转接基板(5)上设置有多个硅通孔(6)，硅通孔(6)直径≤30μm。
3.根据权利要求1所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，TSV硅转接基板(5)、FPGA管芯(4)、转接板(3)和PROM管芯(2)的外部灌封有环氧胶(8)。
4.根据权利要求1所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，TSV硅转接基板(5)底部设置有多个锡球(7)，形成BGA球栅阵列。
5.根据权利要求4所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，锡球(7)的球径为400μm，相邻锡球(7)的间距为900μm，最外围的锡球(7)球心离TSV硅转接基板(5)侧面间距≥500μm。
6.根据权利要求1所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，TSV硅转接基板(5)、FPGA管芯(4)、转接板(3)和PROM管芯(2)之间采用金丝(1)键合。
7.根据权利要求1所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构，其特征在于，转接板(3)的材质为硅，厚度为200μm。
8.一种基于权利要求1-7任意一项所述集成结构的制备方法，其特征在于，在TSV硅转接基板(5)上依次堆叠粘接FPGA管芯(4)、转接板(3)和PROM管芯(2)；再采用金丝球焊工艺，将FPGA芯片Pad与TSV硅转接基板(5)上Pad、PROM芯片Pad与转接板(3)上Pad和转接板(3)上Pad与TSV硅转接基板(5)上Pad依次进行引线缝合，完成集成结构的制备。
9.根据权利要求8所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构的制备方法，其特征在于，集成结构制备完成后，采用环氧胶(8)对集成结构进行填充。
10.根据权利要求8所述的基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构的制备方法，其特征在于，集成结构制备完成后，在TSV硅转接基板(5)底部制作锡球(7)，形成BGA球栅阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所，未经西安微电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110662033.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
