[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110651718.7 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113594311A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;马新刚;赵进超 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层，位于外延结构的第一表面。该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时，减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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