[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种深紫外LED芯片，其中，包括：

外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，所述外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及所述P型半导体层与所述N型半导体层所夹的多量子阱层，所述P型半导体层暴露于所述外延结构的第一表面；以及

所述P型半导体层的空穴补偿层，位于所述外延结构的第一表面。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片，其中，所述P型半导体层的材料为P型掺杂的AlGaN、BAlN材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片，其中，所述P型半导体层的空穴补偿层间隔设置。

4.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片，其中，所述P型半导体层的空穴补偿层包括多个间隔设置的P型的硅纳米层。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED芯片，其中，各所述硅纳米层是由硅纳米颗粒组成的，所述硅纳米颗粒的尺寸在数十纳米到数百纳米之间。

6.根据权利要求4所述的深紫外LED芯片，其中，所述多个硅纳米层按均匀的阵列分布或按不均匀的阵列分布。

7.根据权利要求4所述的深紫外LED芯片，其中，还包括金属层，覆盖所述P型半导体层和所述多个硅纳米层，

其中，所述金属层与所述P型半导体层之间为欧姆接触。

8.根据权利要求7所述的深紫外LED芯片，其中，所述金属层由金属纳米线构成。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED芯片，其中，所述金属纳米线包括Cu纳米线与包裹所述Cu纳米线的包覆层，

其中，所述包覆层的材料包括高功函数的金属Ni或Pt。

10.根据权利要求7所述的深紫外LED芯片，其中，还包括反射镜层，所述反射镜层覆盖所述金属层。

11.根据权利要求10所述的深紫外LED芯片，其中，所述反射镜层包括：Al镜、Rh镜、Mg镜中的一种。

12.根据权利要求10所述的深紫外LED芯片，其中，还包括金属阻挡层，所述金属阻挡层覆盖所述反射镜层。

13.根据权利要求12所述的深紫外LED芯片，其中，所述金属阻挡层的材料包括TiW或TiPt或TiNi。

14.根据权利要求12所述的深紫外LED芯片，其中，还包括：

衬底，与所述外延结构的第二表面接触；

至少一个通孔，自所述金属阻挡层延伸至所述N型半导体层上并露出所述N型半导体层；

至少一个导电部，位于相应所述通孔中并与暴露出的所述N型半导体层接触，各所述导电部分别与所述P型半导体层、所述多量子阱层、所述P型半导体层的空穴补偿层、所述金属层、所述反射镜层和所述金属阻挡层隔开；

绝缘层，位于所述金属阻挡层上，并填充在各所述通孔中，所述绝缘层具有露出所述导电部表面的N导电通道和露出所述金属阻挡层表面的P导电通道；

N电极，位于所述绝缘层上，部分所述N电极穿过所述N导电通道与所述导电部相连；以及

P电极，位于所述绝缘层上，部分所述P电极穿过所述P导电通道与所述金属阻挡层相连，

其中，所述N电极与所述P电极分隔。

15.根据权利要求14所述的深紫外LED芯片，其中，还包括至少一个凹槽，位于所述衬底的边缘，自所述金属阻挡层延伸至所述N型半导体层上，所述绝缘层还覆盖所述凹槽的侧壁及所述N型半导体层。