[发明专利]一种终端结构、半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 202110651512.4 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113299744B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人： | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种终端结构、半导体器件及制作方法，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽包括第一深度区、第二深度区和第三深度区；第一深度区填充介电材料，介电材料中插入第一电极，第二深度区设置有第一多晶硅场板；第一多晶硅场板和第一电极连接第二电极，第三深度区设置有第二多晶硅场板，掺杂区和第二多晶硅场板上设置截止环。该终端结构，第一多晶硅场板防止第一体区与漂移区形成的PN结被提前击穿，第一电极防止第一深度区的底部角落处被提前击穿，第二多晶硅场板防止击穿发生在截止环。该结构在提升终端结构耐压的同时，使终端结构的面积减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终端 结构 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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