[发明专利]一种终端结构、半导体器件及制作方法

权利要求书

1.一种终端结构，包括第一导电类型的漂移区，其特征在于，所述漂移区设置有沟槽，所述沟槽的两侧分别设有第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区；

所述沟槽的表面设置有第一氧化层；

所述沟槽为T型沟槽，包括第一深度区、第二深度区和第三深度区，所述第二深度区位于所述第一深度区与所述第一体区之间，所述第三深度区位于所述第一深度区与所述掺杂区之间，所述第二深度区的深度和所述第三深度区的深度均小于所述第一深度区的深度，且大于所述第一体区的结深；

所述第一深度区填充有介电材料，所述介电材料中插入有第一电极，所述第一电极的插入深度大于所述第二深度区和所述第三深度区的深度，所述第二深度区设置有第一多晶硅场板，所述第三深度区设置有第二多晶硅场板；

所述第一体区上设置有第二电极，所述第一体区与所述第二电极之间设置有第二氧化层，所述第二电极依次覆盖所述第一体区的部分顶部表面、所述第二氧化层的表面、所述第一多晶硅场板的表面以及部分所述介电材料的表面，并与所述第一电极连接；

所述掺杂区的表面及所述第二多晶硅场板的表面上设置有截止环，所述截止环与所述第二电极之间设置有第三氧化层。

2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述终端结构还包括第二导电类型的第二体区，所述第二体区通过所述第一氧化层分别与所述第一深度区以及所述第二深度区紧邻设置。

3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述第二深度区的深度等于所述第三深度区的深度。

4.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述漂移区的底部设有衬底。

5.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述沟槽由所述漂移区的顶部向底部延伸，且所述第一深度区的深度小于所述漂移区的深度。

6.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述第一深度区靠近所述第一体区一侧的边缘与所述第一电极的距离为0.2～5um。

7.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；

或所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的终端结构。

9.一种终端结构的制作方法，其特征在于，包括如下：

提供第一导电类型的漂移区；

在所述漂移区的顶部蚀刻第一深度区；

在所述第一深度区的表面制作第一氧化层的第一部分；

在所述第一深度区填充介电材料；

在所述漂移区的顶部蚀刻第二深度区和第三深度区，其中，所述第二深度区和所述第三深度区分别位于所述第一深度区的两侧，所述第二深度区的深度和所述第三深度区的深度均小于所述第一深度区的深度，所述第一深度区、所述第二深度区和所述第三深度区形成T型的沟槽；

在所述第二深度区和所述第三深度区的表面制作第一氧化层的第二部分；

在所述第二深度区制作第一多晶硅场板，在所述第三深度区制作第二多晶硅场板；

在所述漂移区的顶部靠近所述第二深度区的一侧制作第二导电类型的第一体区，其中，所述第一体区的结深小于所述第二深度区的深度；

在所述漂移区的顶部靠近所述第三深度区的一侧制作第一导电类型的掺杂区；

在所述第一体区上制作第二氧化层，在所述介电材料上制作第三氧化层，其中，所述第三氧化层远离所述第三深度区的一端相对所述介电材料内缩；

在所述介电材料中制作第一电极，其中，所述第一电极插入所述介电材料，所述第一电极的插入深度大于所述第二深度区和所述第三深度区的深度，并且所述第三氧化层位于所述第一电极与所述第三深度区之间的介电材料表面；

在所述第二氧化层上制作第二电极，其中，所述第二电极依次覆盖所述第一体区的顶部暴露区域、所述第二氧化层的表面、所述第一多晶硅场板的表面以及部分所述介电材料的表面，并与所述第一电极连接。