[发明专利]一种异质结电池生产方法在审
| 申请号： | 202110645698.2 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113451439A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈功兵;孙林;刘谕;潘登;蒙春才;闫涛;杨秀清;何堂贵;刘正新 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0747;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邓芸 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结电池生产方法，涉及异质结太阳电池技术领域，包括如下步骤：步骤1、对硅片进行去损伤层、抛光、制绒和清洗；步骤2、硅片双面制作非晶硅层；步骤3、在硅片背面层边缘设置宽度为0.05‑0.5mm的掩膜，沉积透明导电膜层(TCO层)时，硅片背面被掩膜覆盖的区域不沉积TCO膜；步骤4、硅片放入碱液中进行刻边处理；步骤5，在硅片的正反面上制作金属电极，即完成异质结电池的制作。本发明背面掩膜区宽度减小，背面TCO膜面积增加，增大了电池背面收集电子的能力，从而电池的电流得到提升。采用化学刻蚀去除边缘TCO膜，可以达到理想的刻边效果，降低硅片边缘导通比率，不存在如激光刻蚀带来的物理损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 电池 生产 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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