[发明专利]一种异质结电池生产方法

权利要求书

1.一种异质结电池生产方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、硅片制绒：对硅片进行去损伤层、抛光、制绒和清洗；

步骤2、非晶硅制作：对经过步骤1处理的硅片正面制作正面本征非晶硅层和n+非晶硅掺杂层，在硅片背面制作背面本征非晶硅层和P+非晶硅掺杂层，n+非晶硅掺杂层和P+非晶硅掺杂层的制作均通过PECVD的方式沉积；

步骤3、制作TCO层：在步骤2中得到的n+非晶硅掺杂层和P+非晶硅掺杂层上分别制作透明导电膜层(TCO层)，P+非晶硅掺杂层边缘设置背面掩膜，掩膜区的宽度为0.05-0.5mm，这样P+非晶硅掺杂层边缘存在一圈未沉积透明导电膜层(TCO层)的区域；

步骤4、刻边工艺：对经过步骤3处理的硅片放入碱液中进行刻边处理；

步骤5、经过步骤4处理的硅片的正反面上制作金属电极，即完成异质结电池的制作。

2.根据权利1所述的一种异质结电池生产方法，其特征在于，步骤4中，刻边工艺包括如下步骤：

步骤a、对经过步骤3处理的硅片水洗或者采用1号液清洗；

步骤b、经过步骤a清洗的硅片放到碱中刻边；

步骤c、刻边完成后用纯水清洗干净硅片表面碱液；

步骤d、烘干。

3.根据权利2所述的一种异质结电池生产方法，其特征在于，步骤a中，刻边清洗设备包含槽式或者链式刻蚀设备。

4.根据权利2所述的一种异质结电池生产方法，其特征在于，步骤b中，碱液为KOH、NaOH、NH4OH中的一种或几种，碱液的浓度1％～50％，温度控制在20～100℃。

5.根据权利2所述的一种异质结电池生产方法，其特征在于，步骤b中，刻边为浸泡式刻边或仅四边进入碱液中刻边。