[发明专利]一种用于TFT-array基片的蚀刻液在审
| 申请号： | 202110640813.7 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113529084A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴熙英;陈桂红;吉东均;石海燕;申忠民 | 申请（专利权）人： | 昆山晶科微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;C23F1/26;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于TFT‑array基片的蚀刻液，包含酸性成分40%‑80%、DIW超纯水10%‑30%和Mo蚀刻调节剂10%‑30%；所述Mo蚀刻调节剂的成分为铵盐和碱土金属盐；本方案以酸为主要成分，通过调节比例，解决了每种金属因蚀刻速度不同而产生的问题，也能有效改善伽伐尼克现象引起的过蚀刻，确保TFT‑array基片的均匀性；另外还通过添加调节剂来控制金属间的蚀刻速度，并使金属层在湿法蚀刻中的蚀刻轮廓变得优良，无需额外进行干法蚀刻来去除残留金属，从而使工艺顺畅，提高了生产效率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 tft array 蚀刻 | ||
【主权项】：
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