[发明专利]一种用于TFT-array基片的蚀刻液

说明书

本发明公开了一种用于TFT‑array基片的蚀刻液，包含酸性成分40%‑80%、DIW超纯水10%‑30%和Mo蚀刻调节剂10%‑30%；所述Mo蚀刻调节剂的成分为铵盐和碱土金属盐；本方案以酸为主要成分，通过调节比例，解决了每种金属因蚀刻速度不同而产生的问题，也能有效改善伽伐尼克现象引起的过蚀刻，确保TFT‑array基片的均匀性；另外还通过添加调节剂来控制金属间的蚀刻速度，并使金属层在湿法蚀刻中的蚀刻轮廓变得优良，无需额外进行干法蚀刻来去除残留金属，从而使工艺顺畅，提高了生产效率，降低了成本。

技术领域

本发明涉及一种用于TFT-array基片的蚀刻液，属于半导体湿法蚀刻技术领域。

背景技术

半导体在加工过程中常用湿法蚀刻，对于湿法蚀刻工艺中两种金属材料的蚀刻，一般需要分别进行两道蚀刻工序，由此产生了成本较高、工艺困难等问题，而且多道工序也增加了产品损坏的可能性；本申请通过改变蚀刻液配方，可以将蚀刻工序缩减到一道，就可以简单、经济地进行蚀刻加工。

发明内容

针对上述存在的技术问题，本发明的目的是：提出了一种用于TFT-array基片的蚀刻液。

本发明的技术解决方案是这样实现的：一种用于TFT-array基片的蚀刻液，包含酸性成分40%-80%、DIW超纯水10%-30%和Mo蚀刻调节剂10%-30%；所述Mo蚀刻调节剂的成分为铵盐和碱土金属盐。

优选的，所述酸性成分为磷酸、硝酸、乙酸、盐酸、氢氟酸中的一种或几种的组合。

优选的，所述碱土金属盐中的金属成分为钠、钾、锂中的一种或几种的组合。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明的用于TFT-array基片的蚀刻液，以酸为主要成分，通过调节比例，解决了每种金属因蚀刻速度不同而产生的问题，也能有效改善伽伐尼克现象引起的过蚀刻，确保TFT-array基片的均匀性；另外还通过添加调节剂来控制金属间的蚀刻速度，并使金属层在湿法蚀刻中的蚀刻轮廓变得优良，无需额外进行干法蚀刻来去除残留金属，从而使工艺顺畅，提高了生产效率，降低了成本。

具体实施方式

下面结合实施例来说明本发明。

本发明所述的一种用于TFT-array基片的蚀刻液，包含酸性成分40%-80%、DIW超纯水10%-30%和Mo蚀刻调节剂10%-30%；所述酸性成分为磷酸、硝酸、乙酸、盐酸、氢氟酸中的一种或几种的组合；所述Mo蚀刻调节剂的成分为铵盐和碱土金属盐，碱土金属盐中的金属成分为钠、钾、锂中的一种或几种的组合。

实施例1-3的组分含量如下表所示：