[发明专利]半导体结构加工设备有效
| 申请号： | 202110639096.6 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113463070B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 彭静;张晓芳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/52;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：容腔；托盘，位于容腔内；所述设备还包括：承载台，位于容腔内，用于承载托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于承载台上，且在以托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，第二轴盘和第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；和/或，喷头，位于容腔内，且位于托盘上方，包括：扩散腔、以及与扩散腔连通的出气孔；扩散腔，用于容纳气体；其中，气体通过出气孔进入容腔内；测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿扩散腔，且测温组件的一端位于容腔；其中，至少两个阻挡组件与测温组件在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 加工 设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
