[发明专利]半导体结构加工设备

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：容腔；托盘，位于容腔内；所述设备还包括：承载台，位于容腔内，用于承载托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于承载台上，且在以托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，第二轴盘和第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；和/或，喷头，位于容腔内，且位于托盘上方，包括：扩散腔、以及与扩散腔连通的出气孔；扩散腔，用于容纳气体；其中，气体通过出气孔进入容腔内；测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿扩散腔，且测温组件的一端位于容腔；其中，至少两个阻挡组件与测温组件在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构加工设备。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，通常用到多种沉积技术在半导体基板上沉积多层材料，例如，通过化学气相沉积(CVD)方法在半导体基板上沉积材料层是制造半导体器件的工艺中的关键步骤。化学气相沉积通过在反应腔室内将反应气体生成成等离子体，并发生化学反应生成固态产物沉积在半导体基板上。

然而，在实际生产中，由于工艺设备硬件的某些原因，导致形成的材料膜层质量较差，影响半导体器件的良率。因此，如何提高设备的成膜质量，一直是半导体器件制造中需要改善的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构加工设备。

根据本公开实施例，提供一种半导体结构加工设备，包括：

容腔；

托盘，位于所述容腔内；

所述设备还包括：

承载台，位于所述容腔内，用于承载所述托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于所述承载台上，且在以所述托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，所述第二轴盘和所述第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；

和/或，

喷头，位于所述容腔内，且位于所述托盘上方，包括：扩散腔、以及与所述扩散腔连通的出气孔；所述扩散腔，用于容纳气体；其中，所述气体通过所述出气孔进入所述容腔内；

测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿所述扩散腔，且所述测温组件的一端位于所述容腔；其中，所述至少两个阻挡组件与所述测温组件在以所述扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。

在一些实施例中，在所述设备包括所述第一轴盘和所述第二轴盘时，所述设备包括偶数个所述托盘；

所述承载台相对靠近所述托盘的表面呈中心对称；

所述偶数个所述托盘的对称中心，与所述承载台相对靠近所述托盘的表面的对称中心重合；

所述第一轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的中心，且与每个所述托盘相邻；

所述至少两个第二轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的边缘。

在一些实施例中，所述设备还包括：

支撑件，与所述第一轴盘固定连接，沿平行于所述托盘所在的平面延伸；

第一控制器，与所述第一轴盘电连接，用于控制所述第一轴盘旋转，以带动所述支撑件相对所述托盘旋转。

在一些实施例中，所述设定范围为：0.75至1.25。

在一些实施例中，在所述容腔内，所述阻挡组件与所述测温组件具有相同形状。

在一些实施例中，在所述设备包括所述测温组件和所述阻挡组件时，所述设备还包括：

进气孔，贯穿所述扩散腔腔体的第一表面，用于安装进气管；其中，所述进气孔的中心与所述扩散腔的中心所在的直线垂直于第一表面；