[发明专利]相变存储系统及其制造方法有效
| 申请号： | 202110637570.1 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113437110B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10;G11C29/12;G11C29/18;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐雯;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种相变存储系统及其制造方法。其中，所述相变存储系统包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构至少包括外围器件以及包含有第一导电触点的第一键合层；其中，所述外围器件包括外围电路和/或一部分阵列访问电路；第二半导体结构，所述第二半导体结构至少包括堆叠设置的相变存储单元阵列和另一部分阵列访问电路，以及包含有第二导电触点的第二键合层；键合结合层，位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间；其中，所述第一导电触点在所述键合结合层处与所述第二导电触点电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110637570.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种测试方法和系统
- 下一篇：一种新能源洗车电机壳的制作方法
