[发明专利]相变存储系统及其制造方法有效
申请号: | 202110637570.1 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113437110B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H10B63/10 | 分类号: | H10B63/10;G11C29/12;G11C29/18;G11C29/42 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐雯;张颖玲 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相变 存储系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种相变存储系统,其特征在于,包括:
第一半导体结构,所述第一半导体结构至少包括存储控制器、外围器件、数据传输路径、输入输出电路以及包含有第一导电触点的第一键合层;其中,所述外围器件包括外围电路和/或一部分阵列访问电路;所述阵列访问电路至少包括地址线驱动器、地址线解码器及页缓冲器;
第二半导体结构,所述第二半导体结构至少包括堆叠设置的相变存储单元阵列和另一部分阵列访问电路,以及包含有第二导电触点的第二键合层;
键合结合层,位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间;其中,所述第一导电触点在所述键合结合层处与所述第二导电触点电性连接。
2.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述外围器件包括外围电路;所述存储控制器至少包括处理器及纠错ECC电路;所述外围电路至少包括电压发生器、随机存取存储器及只读存储器;
所述第二半导体结构包括相变存储单元阵列和阵列访问电路以及包含有第二导电触点的第二键合层。
3.根据权利要求2所述的存储系统,其特征在于,
所述第二半导体结构包括:
第二衬底;
位于所述第二衬底上的所述阵列访问电路;
位于所述阵列访问电路上的所述相变存储单元阵列;
位于所述相变存储单元阵列上的所述第二键合层;
所述第一半导体结构包括:
位于所述第二键合层上的所述第一键合层;
位于所述第一键合层上的所述存储控制器、外围电路、数据传输路径以及输入输出电路;
位于所述存储控制器、外围电路、数据传输路径以及输入输出电路上的第一衬底。
4.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述阵列访问电路包括第一子阵列访问电路和第二子阵列访问电路;所述外围器件包括第一子阵列访问电路;所述存储控制器至少包括处理器及ECC电路;所述第一子阵列访问电路至少包括页缓存器;
所述第二半导体结构包括相变存储单元阵列、外围电路、第二子阵列访问电路以及含有第二导电触点的第二键合层;其中,所述外围电路至少包括电压发生器、随机存取存储器及只读存储器;所述第二子阵列访问电路至少包括地址线驱动器和地址线解码器。
5.根据权利要求4所述的存储系统,其特征在于,
所述第二半导体结构包括:
第二衬底;
位于所述第二衬底上的外围电路和第二子阵列访问电路;
位于所述外围电路和第二子阵列访问电路上的相变存储单元阵列;
位于所述相变存储单元阵列上的所述第二键合层;
所述第一半导体结构包括:
位于所述第二键合层上的所述第一键合层;
位于所述第一键合层上的所述存储控制器、第一子阵列访问电路、数据传输路径以及输入输出电路;
位于所述存储控制器、第一子阵列访问电路、数据传输路径以及输入输出电路上的第一衬底。
6.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述阵列访问电路包括第一子阵列访问电路和第二子阵列访问电路;所述外围器件包括外围电路和第一子阵列访问电路;所述存储控制器至少包括处理器及ECC电路;所述外围电路至少包括电压发生器、随机存取存储器及只读存储器;所述第一子阵列访问电路至少包括页缓冲器;
所述第二半导体结构包括相变存储单元阵列和第二子阵列访问电路以及包含有第二导电触点的第二键合层;其中,所述第二子阵列访问电路至少包括地址线驱动器和地址线解码器。
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