[发明专利]一种基于双面T型沟槽的碳化硅中子探测器

摘要

本发明涉及半导体中子探测领域，尤其涉及一种基于双面T型沟槽的碳化硅中子探测器，包括4H‑SiC外延片、开设在4H‑SiC外延片正面的第一T型沟槽和开设在4H‑SiC外延片背面的第二T型沟槽；4H‑SiC外延片正面台面上设置有P型欧姆接触电极，4H‑SiC外延片背面台面上设置有N型欧姆接触电极；第一T型沟槽、第二T型沟槽等间隔交错设置，第一T型沟槽内设有P区中子转换物，第二T型沟槽内设有N区中子转换物。本发明在双面交叉指型的基础上，通过在4H‑SiC外延片的正面和背面刻蚀T型沟槽而形成的，然后在双面沟槽内分别形成P区和N区，接着在正反面的台面上形成欧姆接触电极。本发明提出的双面T型沟槽型碳化硅结构相较于传统的交叉指型中子探测器可大幅度提升中子探测效率。