[发明专利]OJ型整流二极管酸洗工艺有效
| 申请号： | 202110628922.7 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113410125B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 叶惠东;叶桢琪 | 申请（专利权）人： | 抚州华成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 36136 | 代理人： | 张雪娟 |
| 地址： | 344000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了OJ型整流二极管酸洗工艺，涉及二极管技术领域，包括：酸蚀工序；钝化工序：采用混合液二对经酸蚀工序处理后的二极管组件进行处理，混合液二由双氧水和水组成，双氧水的浓度为30～35％，双氧水与水的体积比为1:1～20，处理温度为26～35℃；去PbO工序：采用浓度为0.1～10％的稀盐酸溶液对经钝化处理后的二极管组件进行处理；S4、络合工序；清洗、干燥工序。本发明的有益效果是采用由双氧水和H |
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| 搜索关键词： | oj 整流二极管 酸洗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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