[发明专利]OJ型整流二极管酸洗工艺

权利要求书

1.OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，包括以下工序：

S1、酸蚀工序；

S2、钝化工序：对二极管组件进行处理以在硅P-N结台面形成SiO₂层，包括采用混合液二对经酸蚀工序处理后的二极管组件进行处理，混合液二由双氧水和水组成，双氧水的浓度为30～35％，双氧水与水的体积比为1:1～20，处理温度为26～35℃；

S3、去PbO工序；

S4、络合工序；

S5、清洗、干燥工序；

所述步骤S3中的去PbO工序包括：采用浓度为0.1～10％的稀盐酸溶液对经钝化处理后的二极管组件进行处理；

所述步骤S4中的络合工序包括：采用混合液三对经去PbO工序处理后的二极管组件进行处理，混合液三由氨水、双氧水和水组成，氨水、双氧水和水的体积比为3:1:13。

2.根据权利要求1所述的OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，所述步骤S2中，双氧水的浓度为33～35％，双氧水与水的体积比为1:5～15，处理温度为28～30℃。

3.根据权利要求1所述的OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，所述步骤S2中，双氧水的浓度为35％，双氧水与水的体积比为1:8～12，处理温度为30℃。

4.根据权利要求1所述的OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，所述步骤S3中，采用浓度为6～8％的稀盐酸溶液对经钝化处理后的二极管组件进行处理。

5.根据权利要求1所述的OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，所述步骤S1中的酸蚀工序包括：采用混合液一对二极管组件进行处理，混合液一由HNO₃、HF、CH₃COOH以及H₂SO₄组成，HNO₃、HF、CH₃COOH以及H₂SO₄的体积比为9:9:12:4。

6.根据权利要求1所述的OJ型整流二极管酸洗工艺，其特征在于，所述步骤S5中的清洗、干燥工序包括：将经络合工序处理后的二极管组件依次进行机内超声清洗、机外超声清洗，然后烘干。