[发明专利]光刻对准标记及其形成方法在审
| 申请号： | 202110617458.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113394198A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郑辉;何洪波;王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻对准标记及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上涂覆第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层，在所述衬底上形成一沟槽；清除所述衬底上残留的第一光刻胶层，并在所述衬底上涂覆第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层覆盖所述沟槽；刻蚀所述第二光刻胶层，在所述沟槽内形成对准标记，所述对准标记包括四个相同的条形图案，使所述沟槽的深度和所述沟槽周边的第二光刻胶层的厚度之和与所述条形图案的宽度之比小于设计值。通过严格控制所述对准标记的深宽比，改善了所述对准标记的所处环境，从而避免了所述对准标记因深宽比过大而发生坍塌的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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