[发明专利]光刻对准标记及其形成方法在审
| 申请号： | 202110617458.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113394198A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郑辉;何洪波;王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 及其 形成 方法 | ||
1.一种光刻对准标记的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底，并在所述衬底上涂覆第一光刻胶层；
刻蚀所述第一光刻胶层，在所述衬底上形成一沟槽；
清除所述衬底上残留的第一光刻胶层，并在所述衬底上涂覆第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层覆盖所述沟槽；
刻蚀所述第二光刻胶层，在所述沟槽内形成对准标记，所述对准标记包括四个相同的条形图案，使所述沟槽的深度和所述沟槽周边的第二光刻胶层的厚度之和与所述条形图案的宽度之比小于设计值。
2.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述设计值为2。
3.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述对准标记包括两个沿X方向设置的第一条形图案以及两个沿Y方向设置的第二条形图案，所述第一条形图案与所述第二条形图案完全相同，且两个所述第一条形图案及两个所述第二条形图案均关于所述对准标记的中心对称设置。
4.如权利要求3所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一条形图案的外边界与所述沟槽的边界之间具有第一间隙。
5.如权利要求4所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一间隙不小于5微米。
6.如权利要求3所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二条形图案的外边界与所述沟槽的边界之间具有第二间隙。
7.如权利要求6所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二间隙不小于30微米。
8.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述对准标记位于所述沟槽的正中心。
9.如权利要求1所述的光刻对准标记的形成方法，其特征在于，所述衬底的材质为铝。
10.一种光刻对准标记，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的光刻对准标记的形成方法形成。
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