[发明专利]3D NAND存储器的空洞检测方法有效
| 申请号： | 202110616489.5 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113410152B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 韩烽;陈金星;马霏霏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，包括：去除填充层的位于多个间隔设置的堆叠结构上的部分；去除所述第二牺牲层以及所述填充层的位于相邻第二牺牲层之间的部分；去除所述第二绝缘层以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分；形成覆盖于衬底的侧壁和底部的保护层；使用第一湿法刻蚀工艺对3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。本申请提供的空洞检测方法，通过对所述填充层进行部分去除处理，而露出所述填充层的位于相邻第一牺牲层之间的部分的顶面，再使用第一湿法刻蚀工艺处理所述衬底，通过检测所述衬底是否存在刻蚀痕迹而确定所述填充层是否存在空洞，从而防止3D NAND存储器产生漏电异常。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 空洞 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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