[发明专利]3D NAND存储器的空洞检测方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器的空洞检测方法，用于对3D NAND存储器进行检测，所述3D NAND存储器包括衬底、设于所述衬底表面的多个间隔设置的堆叠结构以及填充层，每个堆叠结构包括依次层叠于所述衬底的第一绝缘层、第一牺牲层、第二绝缘层和第二牺牲层，其中，每个堆叠结构呈阶梯状，所述填充层设于所述多个间隔设置的堆叠结构上以及相邻堆叠结构之间的间隔区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

去除所述填充层的位于所述多个间隔设置的堆叠结构上的部分，以露出所述第二牺牲层的顶面以及所述填充层的设置于相邻第二牺牲层之间的部分的顶面；

去除所述第二牺牲层以及所述填充层的位于相邻第二牺牲层之间的部分，以露出所述第二绝缘层的顶面以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分的顶面；

去除所述第二绝缘层以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分，以露出所述第一牺牲层的顶面以及所述填充层的位于相邻第一牺牲层之间的部分的顶面；

形成覆盖于所述衬底的侧壁和底部的保护层；

使用第一湿法刻蚀工艺对所述3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述填充层的位于所述多个间隔设置的堆叠结构上的部分，包括：

使用第一化学机械研磨工艺和/或第二湿法刻蚀工艺去除所述填充层的位于所述多个间隔设置的堆叠结构上的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二牺牲层以及所述填充层的位于相邻第二牺牲层之间的部分，包括：

使用第二化学机械研磨工艺去除所述第二牺牲层以及所述填充层的位于相邻第二牺牲层之间的部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二绝缘层以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分，包括：

使用第一化学机械研磨工艺和/或第二湿法刻蚀工艺去除所述第二绝缘层以及所述填充层的位于相邻第二绝缘层之间的部分。

5.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀工艺的刻蚀剂为氢氟酸。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖于所述衬底侧壁和底部的保护层，包括：

使用化学气相沉积法形成覆盖于所述衬底的侧壁和底部的保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括分别覆盖于所述衬底侧壁及底部的第一保护层及第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度至少为200nm，所述第二保护层的厚度至少为400nm。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层的材料均为二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用第一湿法刻蚀工艺对所述3DNAND存储器进行处理并进行空洞检测，包括：

将所述3D NAND存储器浸泡在预设刻蚀液中预设时长；

在所述3D NAND存储器浸泡在预设蚀刻液中预设时长后，通过检测所述衬底是否有被刻蚀痕迹，而确定所述3D NAND存储器的所述填充层的位于相邻第一牺牲层之间的部分是否存在空洞。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述将所述3D NAND存储器浸泡在预设刻蚀液中预设时长，包括：

将所述3D NAND存储器浸泡在四甲基氢氧化铵中20~60分钟。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵的温度为20~30℃。