[发明专利]一种基于单向带SiCf有效

专利信息
申请号: 202110612761.2 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113307643B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 刘时剑;邱海鹏;刘善华;陈明伟;谢巍杰;张冰玉;关宏;王启明 申请(专利权)人: 中国航空制造技术研究院
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100024 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于单向带SiCf/SiC复合材料制备方法。首先将单向SiC纤维带制备成带界面层的预浸料,通过热压定型方法,将若干层单向SiC纤维预浸料制备成SiCf/SiC‑C多孔成型体,然后通过高温熔渗,制备出致密SiCf/SiC复合材料。本发明通过采用热熔纱‑单向SiC纤维带进行预浸料‑熔渗工艺研究,避免了SiC纤维在预制体编织过程中卷曲所带来的纤维损伤;通过制备专用预浸浆料组分,解决了热熔纱高温分解导致纤维松散难以成型的问题;本发明方法制备的复合材料在相同厚度下,相比传统平纹布铺层具有更低的纤维含量,降低了复合材料制备的成本,具有工程化的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 单向 sic base sub
【主权项】:
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