[发明专利]一种基于单向带SiCf

权利要求书

1.一种基于单向带SiC_f/SiC复合材料制备方法，其特征在于，包括：

步骤S110，制备界面相：用模具将单层的热熔纱-单向SiC纤维带夹好，放入界面层沉积炉中，制备氮化硼界面相；所述热熔纱-单向SiC纤维带的经向是SiC纤维，纬向是热熔纱，织物组织为平纹；所述氮化硼界面相的厚度为100nm～500nm；

步骤S120，制备预浸浆料：用SiC粉体、有机碳源以及有机溶剂按3:5:2的比例配置预浸浆料，经球磨后得到混合均匀的预浸浆料；所述有机碳源为呋喃树脂、糠酮树脂、酚醛树脂中的至少一种，所述有机溶剂为乙醇或丙酮；

步骤S130，制备单向SiC纤维预浸料：将步骤S110中带模具的含有氮化硼界面相的单向SiC纤维带放入真空容器中浸渍，先抽真空，后灌入步骤S120制备的预浸浆料，保压4h～12h后取出，放入烘箱烘干后，脱模得到单向SiC纤维预浸料；放入烘箱烘干的条件为：加热至160℃～240℃，保温2h～24h；

步骤S140，叠层热压成型：将5～20层步骤S130得到的单向SiC纤维预浸料带的两面涂刷粘接剂，并按照纤维布的方向铺叠，通过热压工艺固化成型得到多孔成型体；所述粘接剂为呋喃树脂、酚醛树脂、液态聚碳硅烷中的一种；通过热压工艺固化成型的条件是：以5℃/min～10℃/min的升温速率从室温加热到160℃～240℃，压力为2MPa～4MPa，保温0.5小时～2小时；

步骤S150，高温裂解：将步骤S140得到的多孔成型体放置于高温裂解炉中进行裂解，自然冷却后得到SiC_f/SiC-C多孔体；高温裂解炉中进行裂解的条件为：以100℃/h～600℃/h的升温速率从室温加热到800℃～1200℃，保温0.5h～2h，压力为真空；

步骤S160，高温熔渗：将步骤S150得到的SiC_f/SiC-C多孔体放入熔渗炉中，并用Si粉包埋进行高温熔渗，自然冷却后，得到致密SiC_f/SiC复合材料；放入熔渗炉中进行高温熔渗的条件为：以100℃/h～600℃/h的升温速率从室温加热到1410℃～1500℃，保温1小时～4小时，压力为真空。