[发明专利]沟槽IGBT芯片版图结构

摘要

本发明提供一种沟槽IGBT芯片版图结构，包括：若干个沿互相垂直的第一方向及第二方向排布的沟槽型IGBT芯片；每个沟槽型IGBT芯片包括一个元胞结构，每个元胞结构中形成有若干条互相平行的栅沟槽，且栅沟槽的方向沿第一方向或第二方向；沿第一、第二方向排布的相邻两个沟槽型IGBT芯片的栅沟槽的方向互相垂直。通过将晶圆上IGBT芯片栅沟槽在第一方向和第二方向均呈现纵横交错的分布，纵向栅沟槽中填充的栅多晶硅使晶圆向下翘曲，横向栅沟槽中填充的栅多晶硅使晶圆向上翘曲，纵横交错的栅沟槽，使压应力和张应力相互抵消，从而在不改变工艺和增加成本的基础上有效改善沟槽IGBT芯片在制造过程中晶圆翘曲问题。