[发明专利]沟槽IGBT芯片版图结构

权利要求书

1.一种沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：

若干个沿第一方向及第二方向排布的沟槽型IGBT芯片，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；

每个所述沟槽型IGBT芯片包括一个元胞结构，每个所述元胞结构中形成有若干条互相平行的栅沟槽，且所述栅沟槽的方向沿所述第一方向或所述第二方向，所述栅沟槽中填充有栅介质层及栅多晶硅层；其中，沿所述第一方向排布的相邻两个所述沟槽型IGBT芯片的所述栅沟槽的方向互相垂直，沿所述第二方向排布的相邻两个所述沟槽型IGBT芯片的所述栅沟槽的方向互相垂直。

2.根据权利要求1所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：每个所述沟槽型IGBT芯片还包括设置于所述元胞结构外圈环向的终端结构。

3.根据权利要求1所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：每个所述沟槽型IGBT芯片中相邻两栅沟槽之间设置有电连接结构，以使每个所述沟槽型IGBT芯片中所有所述栅沟槽电连接。

4.根据权利要求1所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：每个所述沟槽型IGBT芯片中设置有栅极引出区。

5.根据权利要求4所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：所述栅极引出区设置于所述元胞结构的中心或设置于所述元胞结构的外周边缘或设置于所述元胞结构的角上。

6.根据权利要求1所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：沿所述第一方向排布的相邻两个所述沟槽型IGBT芯片之间及沿所述第二方向排布的相邻两个所述沟槽型IGBT芯片预设一间距，所述间距与所述沟槽IGBT芯片版图结构流片后晶圆衬底上的切割道宽度一致。

7.根据权利要求1所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：所述沟槽IGBT芯片版图结构流片使用的晶圆衬底为硅晶圆衬底。

8.根据权利要求7所述的沟槽IGBT芯片版图结构，其特征在于：所述硅晶圆衬底为区熔硅晶圆衬底。