[发明专利]一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器有效
| 申请号： | 202110600934.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113314822B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周华芳 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P1/20;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器，所述MEMS滤波器器件的衬底背面依次生长有隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；所述制作工艺包括：在第二DBR介质膜上制作背孔区域的光刻胶层；第一次干法蚀刻，刻蚀至牺牲层；去除剩余牺牲层；第二次干法蚀刻，刻蚀停留在与隔离层接触的第一DBR介质膜的接触层；蚀刻剩余接触层；去掉光刻胶层。本发明可消除由于不同介质膜刻蚀造成的尖角影响，精确蚀刻到衬底上部的隔离层，且保持隔离层的表面平滑，背孔制作工艺方法，可行度高、精确度好，且能与半导体制作工艺兼容，提高了产品研发的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 滤波器 器件 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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