[发明专利]一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器

权利要求书

1.一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述MEMS滤波器器件的衬底背面依次生长有隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；

所述制作工艺包括：

在第二DBR介质膜上制作背孔区域的光刻胶层；

第一次干法蚀刻，刻蚀至牺牲层；剩余一些牺牲层，使累计蚀刻的第一尖角被包含于剩余牺牲层的厚度中；

去除剩余牺牲层，形成平坦化平面；

第二次干法蚀刻，刻蚀停留在与隔离层接触的第一DBR介质膜的接触层；

蚀刻剩余接触层；

去掉光刻胶层；

第一次干法蚀刻为快速干法刻蚀，第二次干法蚀刻为慢速干法刻蚀。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述第一DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层，所述接触层为多晶硅层；所述第二DBR介质膜包括交替排列的多晶硅层和氮化硅层；所述隔离层为二氧化硅层，所述牺牲层为二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述第一次干法蚀刻，刻蚀至牺牲层，包括：

采用ICP蚀刻机台对第二DBR介质膜和牺牲层进行干法蚀刻，刻蚀至牺牲层时剩余一些牺牲层，使累计蚀刻的尖角被包含于剩余牺牲层的厚度中。

4.根据权利要求3所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述去除剩余牺牲层，包括：

利用BOE溶液，除去包括尖角的剩余牺牲层，形成平坦化平面。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述第二次干法蚀刻，包括：

采用ICP蚀刻机台对牺牲层下方的第一DBR介质膜，使蚀刻停留在接触层。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述快速干法刻蚀和慢速干法刻蚀由蚀刻气体的流量、上电极RF功率、下电极RF功率和工艺压强共同决定。

7.根据权利要求1或2所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述蚀刻剩余接触层包括：

将整个器件放入TMAH溶液中浸泡，去除所述接触层，留下平滑的隔离层。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺，其特征在于：所述去掉光刻胶层，包括：

采用NMP溶液冲洗工艺进行冲洗；

采用IPA溶液冲洗掉多余NMP溶液；

将器件进行烘干；

利用O₂灰化工艺去除晶圆表面的光刻胶残渣。

9.一种MEMS滤波器，其特征在于：所述MEMS滤波器的背孔由权利要求1~8中任意一项所述的工艺制作。