[发明专利]一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110596386.7 | 申请日： | 2021-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN113437189B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;陈晶晶;郭太良;张永爱;吴朝兴;林志贤;叶芸 | 申请（专利权）人： | 福州大学;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 张灯灿;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构，以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寻址 纳米 led 发光 显示 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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