[发明专利]一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构，其特征在于，包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的绝缘区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层、多量子阱、高电阻率p型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的p接触电极，所述多量子阱、高电阻率p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出。

2.根据权利要求1所述的一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S21：在蓝宝石衬底上依次外延生长n型半导体层、多量子阱以及具有高电阻率的p型半导体层；

步骤S22：在p型半导体层表面沉积一层绝缘层，采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印在绝缘层上形成与纳米LED发光像元一一对应的光刻胶图案，并以光刻胶作为保护，去除暴露的绝缘层，露出与纳米LED发光显示像元一一对应的p型半导体层；剩下的绝缘层即为绝缘区域，用于隔离像元；

步骤S23： 在步骤S22得到的局部覆盖有绝缘层的纳米LED发光像元阵列表面沉积一层p接触电极薄膜，采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印在p接触电极薄膜上形成与p接触电极一一对应的光刻胶图案，并以光刻胶作为保护，去除暴露的p接触电极薄膜，形成与纳米LED发光像元一一对应的p接触电极；

步骤S24：采用光刻和刻蚀手段，形成公共n接触电极窗口，并引出公共n接触电极，形成可寻址纳米LED发光显示阵列。

3.根据权利要求1所述的一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构，其特征在于，所述纳米LED发光像元的边长为1纳米~1000纳米，相邻像元之间距离为1纳米~2000纳米。

4.根据权利要求1所述的一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构，其特征在于，所述公共n接触电极和p接触电极为由Pt、Ti、Au材料中的一种或多种混合层叠形成的多层薄膜。

5.根据权利要求2所述的一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂。