[发明专利]TEM样品的制备方法在审
| 申请号： | 202110593171.X | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113189370A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈柳;史燕萍;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供的一种TEM样品的制备方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有低密度的层间电介质层；截取所述晶圆获得待测样品；在所述待测样品上形成保护膜，以对所述待测样品产生初步的完整性保护；在所述待测样品的目标区域覆盖胶类材料，并对其进行固化工艺，以进一步保护所述待测样品的形貌；在聚焦离子束内进行待测样品减薄；以形成TEM样品。通过上述方法制备TEM样品，替代用电子束辅助沉积方法在待测样品表面做保护层的方式，避免电子束对待测样品的直接辐照，有效改善电子束的大电流对待测样品带来的直接损伤，避免待测样品的形变问题；此方法已经通过实例验证，获得的图像清晰，界面明显，量测精准。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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